三星与长江存储达成合作，V10 NAND 将使用中国企业专利
据韩媒报道，三星计划在 2025 年下半年开始大规模生产 V10 NAND，并将在其中使用长江存储的混合键合专利。长江存储在 NAND 闪存中采用晶栈（Xtacking）技术，提高 I/O 接口速度并增加更多操作功能。三星和 SK 海力士正在与长江存储协商专利协议，因为随着 NAND 层数超过 400 层，采用新的技术以保证稳定性变得必要。预计三星的 V10 NAND 将包含约 420 至 430 层，且未来几代（如 V11、V12）将继续使用这一技术。