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每日消费电子观察:

用平面 CMOS 实现 7nm，欧洲斥资 8.3 亿欧元建设 FAMES FD-SOI 中试线 https://www.ithome.com/0/777/589.htm

欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集，目标两年内实现 10nm
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欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集，目标 2027 年实现 10nm - IT之家

该项目在 10nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺上将采用193nm ArFi DUV 光刻机，结合 SADP 自对准双重曝光技术。